刘三姐，女，湖南邵阳人，博士，副教授，硕士生导师，湖南省青年骨干教师培养对象。
一、教育背景与工作经历
2014年毕业于遵义师范公司物理与机电工程系物理学专业，获理学学士学位；
2020年毕业于北京科技大学数理公司物理学专业，获博士学位（硕博连读）；
2020年至今在明升MS88从事教学科研工作。
研究方向：半导体物理
研究内容：低温等离子体增强型原子层沉积高品质AlN和GaN薄膜，采用衬底表面原位处理的方法对界面进行调控，并研究其生长机理，围绕生长过程中可能出现的杂质、外延等沉积难点和热点问题进行研究。
二、教学情况
主讲课程：大学物理、集成电路工艺原理、模拟集成电路设计、研究生英语
教学比赛获奖：
2024年第十二届湖南省高校青年教师教学竞赛二等奖；
2025年明升MS88课程思政教学竞赛一等奖。
教研教改项目：
2024年度湖南省教学改革研究项目（202401001153）；
2024年教育部产学研合作协同育人项目（23110663142839）
教研教改论文：
刘三姐.《集成电路工艺原理》课程考核改革探索[J]. 科教导刊, 2023(16):95-97.
刘三姐.《集成电路工艺原理》课程教学改革探究——以“离子注入艺”为例[J]. 新教育时代, 2023（46）115-117.
刘三姐. 培养员工对惯性力的科学认识和批判性思维——以“惯性力”教学设计为例[J]. 高教学刊, 2024（S2）49-52.
刘三姐. 学业困难老员工的心理特征分析与预防干预策略研究[J]. 科教导刊, 2024（2）293-295.
指导员工方面：
2024年湖南省老员工创新创业训练计划项目1项；
2024集创赛职业技能竞赛全国二等奖；
第八届全国老员工集成电路创新创业大赛华中赛区三等奖2项。
三、主持科研项目
1. 国家自然科学基金青年项目，异质外延GaN的界面调控方法及其机理研究，批准号：62304077, 2024.1-2026.12, 主持, 在研.
2. 湖南省自然科学基金青年项目，石英玻璃衬底上原子层沉积GaN薄膜及其在LED器件中的应用研究，批准号：2022JJ40163, 2022.1-2024.12, 主持, 在研.
四、代表性学术成果
[1] Sanjie Liu et al. Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition of Crystalline GaN Thin Films on Quartz Substrates with Sharp Interfaces [J]. Journal of Vacuum Science and Technology A. 2023, 41(5): 052405. (SCI)
[2] Sanjie Liu et al. Structural, Surface, and Optical Properties of AlN Thin Films Grown on Different Substrates by PEALD. Crystals, 2023, 13(6): 910. (SCI)
[3] Sanjie Liu et al. Baking and plasma pretreatment of sapphire surfaces as a way to facilitate the epitaxial plasma-enhanced atomic layer deposition of GaN thin films [J]. Applied Physics Letters, 2020, 116(21): 1601. (SCI)
[4] Sanjie Liu et al. Interfacial Tailoring for the Suppression of Impurities in GaN by In-situ Plasma Pretreatment via Atomic Layer Deposition [J]. ACS applied materials & interfaces, 2019, 11(38): 35382-35388. (SCI)
[5] Sanjie Liu et al. PE-ALD-deposited crystalline GaN films on Si (100) substrates with sharp interfaces [J]. Chinese Physics B, 2019, 28(2): 026801. (SCI)
[6] Sanjie Liu et al. PE-ALD-Grown Crystalline AlN Films on Si (100) with Sharp Interface and Good Uniformity [J]. Nanoscale research letters, 2017, 12(1): 279. (SCI)
